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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。

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  PmT-S-1000 X波段平行調諧合成器Princeton Microwave 2024-04-16 09:52:30

  PmT-S-1000是Princeton Microwave Technology Inc.生產的高性能頻率源設備，工作頻率范圍6300MHz至8300MHz，采用平行合成技術，低相位噪聲和高可靠性。具有50MHz頻率步進、15dBm輸出功率，適用于通信和雷達應用。廣泛操作溫度范圍，緊湊設計，方便安裝集成。